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集成电路布图设计专有权公告(2017年7月26日)
发布时间:2017-07-26

布图设计登记号:BS.165011807
布图设计申请日:2016年12月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14556
布图设计名称:M641FA5
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋
布图设计创作人:孙文翔、向可强
布图设计创作完成日:2016年1月10日

 


布图设计登记号:BS.165011815
布图设计申请日:2016年12月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14557
布图设计名称:M641FAD
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋
布图设计创作人:孙文翔、向可强
布图设计创作完成日:2016年1月10日

 


布图设计登记号:BS.165011823
布图设计申请日:2016年12月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14558
布图设计名称:MAF1XB
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋
布图设计创作人:向可强、孙文翔
布图设计创作完成日:2015年8月1日

 


布图设计登记号:BS.165011831
布图设计申请日:2016年12月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14559
布图设计名称:MAF1XC
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋
布图设计创作人:向可强、孙文翔
布图设计创作完成日:2015年8月1日

 


布图设计登记号:BS.16501184X
布图设计申请日:2016年12月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14560
布图设计名称:MAF1XE
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋
布图设计创作人:向可强、孙文翔
布图设计创作完成日:2015年8月1日

 


布图设计登记号:BS.165011858
布图设计申请日:2016年12月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14561
布图设计名称:MAF1YZ2
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋
布图设计创作人:向可强、孙文翔
布图设计创作完成日:2015年8月1日

 


布图设计登记号:BS.165011866
布图设计申请日:2016年12月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14562
布图设计名称:MAF1ZO
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋
布图设计创作人:向可强、孙文翔
布图设计创作完成日:2015年8月1日
布图设计首次商业利用日:2015年10月1日

 


布图设计登记号:BS.165011874
布图设计申请日:2016年12月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14563
布图设计名称:MAF1ZR1
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋
布图设计创作人:向可强、孙文翔
布图设计创作完成日:2015年8月1日

 


布图设计登记号:BS.165011882
布图设计申请日:2016年12月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14564
布图设计名称:M1068FG1
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋
布图设计创作人:孙文翔、向可强
布图设计创作完成日:2015年8月1日
布图设计首次商业利用日:2015年10月1日

 


布图设计登记号:BS.165011890
布图设计申请日:2016年12月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14565
布图设计名称:M1068FJ1
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州美思迪赛半导体技术有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市工业园区新平街388号腾飞创新园18栋
布图设计创作人:向可强、孙文翔
布图设计创作完成日:2015年8月1日
布图设计首次商业利用日:2015年10月1日

 


布图设计登记号:BS.175000816
布图设计申请日:2017年2月17日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14566
布图设计名称:8192×80 元 TDICCD
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:中国电子科技集团公司第44研究所
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:重庆市沙坪坝区南坪花园路14号
布图设计创作人:廖乃镘、李仁豪、刘昌林
代理机构:重庆辉腾律师事务所
代理人:侯懋琪
布图设计创作完成日:2016年10月20日

 


布图设计登记号:BS.175000921
布图设计申请日:2017年2月16日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14567
布图设计名称:10/12 位用于平面显示器链路 III 的巨涌直流平衡编码和双向控制通道的串化器 MS913
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS_其他
    功能:逻辑
布图设计权利人:杭州瑞盟科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:浙江省杭州市滨江区伟业路1号9号楼7F
布图设计创作人:马桂容、陆晓云、曹爱国、左海岸、章海平
代理机构:杭州赛科专利代理事务所(普通合伙)
代理人:付建中
布图设计创作完成日:2016年7月11日
布图设计首次商业利用日:2017年1月9日

 


布图设计登记号:BS.175000948
布图设计申请日:2017年2月16日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14568
布图设计名称:低功耗、低噪声 CMOS 轨到轨输入输出运算放大器 MS8617
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS_其他
    功能:逻辑_线性
布图设计权利人:杭州瑞盟科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:浙江省杭州市滨江区伟业路1号9号楼7F
布图设计创作人:马桂容、王建国
代理机构:杭州赛科专利代理事务所(普通合伙)
代理人:付建中
布图设计创作完成日:2016年8月21日
布图设计首次商业利用日:2016年11月17日

 


布图设计登记号:BS.175000956
布图设计申请日:2017年2月14日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14569
布图设计名称:NL0253
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:上海南麟电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路103号1幢3楼A座
布图设计创作人:吴国平、周尧、蒋小强、崔凤敏
代理机构:上海翰信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:王莹
布图设计创作完成日:2016年4月10日

 


布图设计登记号:BS.175000964
布图设计申请日:2017年2月14日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14570
布图设计名称:NL0246
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:上海南麟电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路103号1幢3楼A座
布图设计创作人:吴国平、周尧、蒋小强、崔凤敏
代理机构:上海翰信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:王莹
布图设计创作完成日:2016年4月10日

 


布图设计登记号:BS.175000972
布图设计申请日:2017年2月14日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14571
布图设计名称:NL0260
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:上海南麟电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路103号1幢3楼A座
布图设计创作人:吴国平、周尧、蒋小强、崔凤敏
代理机构:上海翰信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:王莹
布图设计创作完成日:2016年4月10日

 


布图设计登记号:BS.175522111
布图设计申请日:2017年2月7日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14572
布图设计名称:宙其AC1002
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:微型计算机
布图设计权利人:杭州宙其科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:浙江省杭州市西湖区文三路408号中电5号楼519室
布图设计创作人:吕冬明、王静、葛海通、刘兵
布图设计创作完成日:2016年10月24日

 


布图设计登记号:BS.175523495
布图设计申请日:2017年3月1日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14573
布图设计名称:测温传感器450K分辨率专用处理芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥立博敏芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市合肥高新区创新大道2800号合肥创新产业园二期F1楼十二层1205室
布图设计创作人:李宏博
布图设计创作完成日:2015年12月10日

 


布图设计登记号:BS.175523517
布图设计申请日:2017年3月1日
公告日期:2017年7月26日
公告号:14574
布图设计名称:256×192微辐射计专用处理芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥立博敏芯电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市合肥高新区创新大道2800号合肥创新产业园二期F1楼十二层1205室
布图设计创作人:李宏博
布图设计创作完成日:2017年1月4日

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